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J-GLOBAL ID：200903077919499255

酸化物系誘電体薄膜用CVD原料およびメモリー用キャパシタ

Inventor： 内川 英興 ,  松野 繁 ,  木ノ内 伸一 ,  渡井 久男
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993184904
Publication number (International publication number)：1994158328
Application date： Jul. 27, 1993
Publication date： Jun. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 多元のものを一液状にして同時に気化させ、かつ安定に反応部へ輸送することができ、これに伴って良好な性能を有するキャパシタ用誘電体薄膜を再現性良く合成することを可能とする。【構成】 有機金属化合物をテトラヒドロフラン中に溶解させることにより、従来よりも30〜100°C低い温度の加熱で、分解することなく原料を安定に気化し、輸送することができる。その結果、CVD法により安定した誘電体薄膜が形成され、この誘電体薄膜をメモリー用キャパシタに用いる。

Claim (excerpt)：

テトラヒドロフランに有機金属化合物が溶解されてなる酸化物系誘電体薄膜用CVD原料。

IPC (5)：

C23C 16/40 ,  C01G 23/00 ,  C30B 29/32 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108