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J-GLOBAL ID：200903077920687804

光半導体封止用組成物、光半導体封止材および光半導体封止用組成物の製造方法

Inventor： 秋池 利之 ,  梶田 徹 ,  山田 欣司
Applicant, Patent owner： JSR株式会社
Agent (3)： 大島 正孝 ,  勝又 秀夫 ,  白石 泰三
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2005007493
Publication number (International publication number)：WO2005100445
Application date： Apr. 13, 2005
Publication date： Oct. 27, 2005
Summary：

エポキシ基を有するシラン化合物とエポキシ基を持たないシラン化合物とを、有機溶媒、有機塩基および水の存在下で加熱して得られる重量平均分子量500〜100万のポリオルガノシロキサン、それを主成分とする光半導体封止用組成物、光半導体封止材および光半導体。

Claim (excerpt)：

下記式(1)

IPC (4)：

C08G 77/14 ,  C08G 59/30 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3)：

C08G77/14 ,  C08G59/30 ,  H01L23/30 R

F-Term (31)：

4J036AK17 ,  4J036DA04 ,  4J036DB21 ,  4J036DC41 ,  4J036DD07 ,  4J036JA07 ,  4J246AA03 ,  4J246AB13 ,  4J246BA12X ,  4J246BA14X ,  4J246BA140 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB022 ,  4J246CA67U ,  4J246CA670 ,  4J246CA69U ,  4J246CA69X ,  4J246FA131 ,  4J246FA431 ,  4J246FB221 ,  4J246GA01 ,  4J246GA11 ,  4J246GB04 ,  4J246HA29 ,  4M109AA01 ,  4M109CA04 ,  4M109CA07 ,  4M109CA12 ,  4M109DB17 ,  4M109EA01