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J-GLOBAL ID：200903077933763151

薄膜体ブリッジ構造

Inventor： 相澤 浩一 ,  阪井 淳 ,  粟井 崇善 ,  石田 拓郎 ,  柿手 啓治
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 松本 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992038111
Publication number (International publication number)：1993231970
Application date： Feb. 25, 1992
Publication date： Sep. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】 薄膜体ブリッジ構造において、残留応力による歪みや破壊の発生を良好に防止することのできる構造を提供する。【構成】 窒化シリコン薄膜などからなる薄膜体ブリッジ4の、白金からなる抵抗体などの機能薄膜7が形成された面の反対面に、機能薄膜7の残留応力と、方向や大きさが、実質的に同じ残留応力を示すように、その材料や厚みあるいは形成パターンが設定された窒化シリコンなどからなる補償薄膜8を形成しておき、機能薄膜7の残留応力のうち、薄膜体ブリッジ4の歪みや破壊に大きな影響を与える成分を、補償薄膜8の残留応力で打ち消すようにする。

Claim (excerpt)：

基板上に薄膜が形成され、この薄膜体の裏側で基板の一部が欠除され、薄膜体の一部が中空に浮いている薄膜体ブリッジに、薄膜体ブリッジとは別の機能薄膜がパターン形成されている薄膜体ブリッジ構造において、薄膜体ブリッジの、前記機能薄膜が形成された面の反対面に、機能薄膜の残留応力と実質的に同じ残留応力を示す補償薄膜を形成しておくことを特徴とする薄膜体ブリッジ構造。

IPC (2)：

G01L 9/04 ,  H01L 29/84