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J-GLOBAL ID：200903077933906432

エッチング装置

Inventor： 田辺 正文 ,  坪井 秀夫 ,  伊藤 正博 ,  林 俊雄 ,  内田 岱二郎
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 八木田 茂 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994052420
Publication number (International publication number)：1995263192
Application date： Mar. 24, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 真空チャンバ内でプラズマを用いたエッチング現象を利用して基板をエッチングするエッチング装置において、低圧力で基板上に均一で高密度のプラズマを形成してマイクロローディング効果やチャージアップダメージを抑えて高均一で高速のエッチングができるようにすること。【構成】 基板電極に対して磁気中性線の位置及び(または)形状を任意に変えることができるような磁場発生手段、基板上の磁場を均一にさせる磁場矯正手段及び磁気中性線に放電プラズマを発生させる電場発生手段とで構成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

筒形で側面が誘電体の真空チャンバ内でプラズマを利用したエッチング現象により基板をエッチングするエッチング装置において、真空チャンバ内に連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するようにした磁場発生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバ内に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生する電場発生手段と、形成される磁気中性線の作る面と平行して離れた位置に設けられた基板電極とを有することを特徴とするエッチング装置。

IPC (5)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68

FI (3)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特表平4-505684
  
• 特開平1-184827
  
• プラズマエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-064989   Applicant：日本電信電話株式会社, 国際電気株式会社
• 特表平4-505684
  
• 特開平1-184827