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J-GLOBAL ID:200903077944824233
半導体装置及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
野河 信太郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994226807
Publication number (International publication number):1996097217
Application date: Sep. 21, 1994
Publication date: Apr. 12, 1996
Summary:
【要約】【目的】 パッケージ自体のサイズの増大を抑制し、放熱性等を改善した半導体装置及びその製造方法を提供することを目的としている。【構成】 複数の電極パッドを持つ半導体チップ上に、所望のパターンで電極パッドに接続した金属配線が形成され、さらに、該金属配線上全面に、微細導電粒子を含んでなる異方性導電膜が積層されており、前記金属配線上の所望の部分の異方性導電膜に凹部が形成され、該凹部に外部電極が密着されて前記金属配線と外部電極とが異方性導電膜中の微細導電粒子を介して接続されて構成される半導体装置。
Claim (excerpt):
複数の電極パッドを有する半導体チップ上に、所望のパターンで電極パッドと接続する金属配線が形成され、さらに、該金属配線上全面に、微細導電粒子を含んでなる異方性導電膜が積層されており、前記金属配線上の所望の部分の異方性導電膜に凹部が形成され、該凹部に外部電極が密着されて前記金属配線と外部電極とが異方性導電膜中の微細導電粒子を介して接続されて構成されることを特徴とする半導体装置。
IPC (4):
H01L 21/321
, H01L 21/3205
, H01L 27/04
, H01L 21/822
FI (4):
H01L 21/92 603 G
, H01L 21/88 T
, H01L 21/92 604 A
, H01L 27/04 E
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