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J-GLOBAL ID：200903077947326889
GaN系半導体層のエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997055028
Publication number (International publication number)：1998256226
Application date： Mar. 10, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：
【要約】【課題】 基板上に形成されたGaN系半導体層をエッチングする方法を提供する。【解決手段】 このエッチング方法は、基板1の上にバッファ層5を介して形成されている導電性のGaN系半導体層6をエッチングする際に、基板上におけるエッチング予定個所に金属層3を形成し、前記金属層3を含めた基板の表面にバッファ層5と導電性のGaN系半導体層6をこの順序で形成し、エッチングしない領域6Bに保護膜7を形成し、ついで、アルカリ電解液中で、金属板9に接続された前記導電性のGaN系半導体層6を陽極にして電解侵蝕処理を行う。
Claim (excerpt)：
基板上にバッファ層を介して形成されている導電性のGaN系半導体層をエッチングする際に、基板上におけるエッチング予定個所に金属層を形成し、前記金属層を含めた基板の表面にバッファ層と導電性のGaN系半導体層をこの順序で形成し、ついで、アルカリ電解液中で、前記導電性のGaN系半導体層を陽極にして電解侵食処理を行うことを特徴とするGaN系半導体層のエッチング方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/306 L
, C25F 3/12
