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J-GLOBAL ID：200903077948708785

光導波路と半導体受光素子の接続構造

Inventor： 赤堀 裕二 ,  山田 泰文 ,  美野 真司 ,  柳沢 雅弘
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 古谷 史旺
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994112770
Publication number (International publication number)：1995318765
Application date： May. 26, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光導波路と半導体受光素子のハイブリッド集積を可能にする光導波路と半導体受光素子の接続構造に関し、光導波路と半導体受光素子の位置合わせを高精度に行わなくても、容易に高い光結合効率を得るようにする。【構成】 基板上の一部にクラッド層のない光導波路領域を形成し、この領域のコア層の表面にコア層より大きな光屈折率を有する半導体受光素子の表面を接触させた構造とする。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくともコア層とクラッド層を順に積層して形成された光導波路と半導体受光素子の接続構造において、前記基板上の一部に前記クラッド層のない光導波路領域を形成し、この領域のコア層の表面にコア層より大きな光屈折率を有する半導体受光素子の表面を接触させ、前記光導波路と前記半導体受光素子とを光学的に結合させた構造であることを特徴とする光導波路と半導体受光素子の接続構造。

IPC (2)：

G02B 6/42 ,  H01L 31/0232