半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993009215
Publication number (International publication number)：1994084911
Application date： Jan. 22, 1993
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】半導体装置の配線層を提供する。【構成】半導体装置は半導体基板101、開口部(接触口またはブァイア)を有する絶縁膜108、開口部の側壁に形成された反応スペーサ111aまたは開口部の側壁および底面上に形成された反応層111bおよび絶縁膜108上に形成され開口部を完全に埋立てる第1導電層を含む。反応スペーサ111aまたは層が開口部の側壁に形成されており、第1導電層の物質を蒸着する場合に大きな島が形成されスパッタされたアルミニウム膜の大きい粒子をなす。また、反応スペーサまたは層を提供することにより溶融点以下の高温で熱処理して開口部を埋立てる間に第1導電層のリフローを向上させる。これにより、スパッタされたアルミニウムで開口部を完全に埋立てることが保障される。大きさが1μm以下でアスペクト比が1以上の全ての接触口をアルミニウムで埋立てられるので半導体装置の配線の信頼性が向上される。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板に形成され、その下地膜の表面の一部を露出させる開口部を有する絶縁膜と、前記開口部の側壁に形成された反応スぺーサと、前記絶縁膜、前記反応スぺーサおよび露出された前記下地膜の表面上に形成されている第1導電層から構成された配線層を含む半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-006827
特開平1-091438
特開平3-257926

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