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J-GLOBAL ID：200903077951817919

半導体装置

Inventor： 生駒 俊明 ,  谷口 光弘
Applicant, Patent owner： 日本鉱業株式会社
Agent (1)： 三好 秀和 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991227810
Publication number (International publication number)：1993013448
Application date： Sep. 09, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、表面保護膜と化合物半導体との界面特性を安定化させて高信頼性を得るとともに製造時の歩留りを高めることを目的とする。【構成】 化合物半導体3の表面に形成された複数の電極4,5,6と、複数の電極4,5,6間における化合物半導体3の表面に形成されたシリコン層7と、シリコン層7上に形成された絶縁膜8とを有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

化合物半導体と、該化合物半導体の表面に形成された複数の電極と、該複数の電極間における前記化合物半導体の表面に形成されたシリコン層と、該シリコン層上に形成された絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 29/48 ,  H01L 29/76 ,  H01L 29/784

FI (3)：

H01L 29/80 B ,  H01L 23/30 D ,  H01L 29/78 301 B