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J-GLOBAL ID：200903077952883672

プラズマ反応装置

Inventor： 岩村 直行
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998272124
Publication number (International publication number)：2000100795
Application date： Sep. 25, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体回路を製造するためのドライエッチング装置およびCVD装置に関する。現在知られる各種プラズマ反応装置は、異常放電の検出を反射波電力量により検出しているが、局所的な異常放電または短い時間の異常放電は検出できないという問題点があった。【解決手段】上部電極1と下部電極2の間にガスを導入し高周波電源3により高周波を印可するとウエハ5をエッチングすることができる。ここで、印可高周波の第3次高調波成分および第5次高調波成分の強度で異常放電を検出することにより局所的な異常放電または短い時間の異常放電を検出可能とする。

Claim (excerpt)：

高周波電力を供給するための伝線路に電圧または電流を検出するための検出器を設置しその第3次高調波成分および第5次高調波成分を監視する。この成分が基準値より高くなった場合、異常放電として検出できる機能を有するプラズマ反応装置。

IPC (7)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/505 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/00 ,  H05H 1/46

FI (7)：

H01L 21/302 C ,  C23C 16/50 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/00 A ,  H05H 1/46 M

F-Term (27)：

4K030FA01 ,  4K030HA16 ,  4K030KA39 ,  4K057DA16 ,  4K057DA20 ,  4K057DB20 ,  4K057DD00 ,  4K057DM02 ,  4K057DM04 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BD04 ,  5F004BD07 ,  5F004CB05 ,  5F004DB00 ,  5F045AA08 ,  5F045AF01 ,  5F045BB08 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045EH13 ,  5F045EH19 ,  5F045GB15