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J-GLOBAL ID：200903077961078235

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 佐々木 正義
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994156887
Publication number (International publication number)：1996022989
Application date： Jul. 08, 1994
Publication date： Jan. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 低抵抗で且つゲート酸化膜耐圧の劣化を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ポリシリコン膜13及びソース・ドレイン拡散層15上にTiCo合金膜16を形成し、アニールを行ってTiCoSix合金層17を形成する。その後、未反応のTiCo合金膜16を除去する。これにより、低抵抗で低ストレスなシリサイド層が形成でき、ゲート酸化膜12の耐圧の劣化を防止することができる。

Claim (excerpt)：

シリコン基体表面または多結晶シリコン表面上に、複数の金属により構成されたシリコン合金層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 G