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J-GLOBAL ID：200903077975765154

表面分析方法および装置

Inventor： 二宮 健 ,  長谷川 正樹
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992303490
Publication number (International publication number)：1994148104
Application date： Nov. 13, 1992
Publication date： May. 27, 1994
Summary：

【要約】【構成】分光器2で単色化されたX線を、光学系4を用いて試料5表面に集光する。制御装置8で分光器2を制御して、入射X線のエネルギを変えながら、試料5表面から放出された光電子を、運動エネルギを分析することなく検出器7で検出する。【効果】光電子の運動エネルギを分析することなく、光電子スペクトルの観測が可能である。この結果、微小径のX線マイクロビームを用いて大きな光電子信号強度を得て、微小領域の化学状態分析を高精度に行うことができる。

Claim (excerpt)：

単色化されたX線光源から放射されるX線を試料面に集光し、X線のエネルギを連続的に変化させながら、X線照射により試料面から放出される電子を、運動エネルギを分析することなく検出することを特徴とする表面分析方法。