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J-GLOBAL ID：200903077976358773

プラズマ処理装置

Inventor： 三浦 豊 ,  戸澤 茂樹 ,  飯室 俊一 ,  西村 栄一
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
Agent (1)： 亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994122949
Publication number (International publication number)：1995307334
Application date： May. 12, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 エッチング速度およびエッチング形状の面内均一性に優れた処理装置を提供する。【構成】 被処理体を載置可能な下部電極(4)と、その被処理体に対する対向面に複数の処理ガス噴出口(23)を備えた上部電極(18)とを設けた処理室内にて、その処理ガス噴出口から供給される処理ガスをプラズマ化して被処理体に対して処理を施すプラズマ処理装置において、被処理体の処理面積に対する上部電極の処理ガス噴出有効面積の割合が80〜100%、好ましくは85〜95%、特に好ましくは90%前後となるように構成されている。かかる範囲で処理ガス噴出有効面積を選択することにより、処理ガスおよび副生成ガスの濃度分布を均一にすることが可能となる。

Claim (excerpt)：

被処理体を載置可能な下部電極と、その被処理体に対する対向面に複数の処理ガス噴出口を備えた上部電極とを設けた処理室内にて、前記処理ガス噴出口から供給される処理ガスをプラズマ化して被処理体に対して処理を施すプラズマ処理装置において、前記被処理体の径に対する前記上部電極の前記処理ガス噴出有効径の割合が90%となるように構成されていることを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-029127
  
• 特開平3-175627
  
• 特開平4-003417