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J-GLOBAL ID：200903077982565942

電界効果トランジスタとその製造方法

Inventor： 藤沢 弘和
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 畑 泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998218892
Publication number (International publication number)：2000058559
Application date： Aug. 03, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ダイレクトバイアホールの端部の微小クラックの発生を抑制した電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 電極1の裏面1aに一対の端部2、2とこの端部2、2間を結ぶ前記電極1に沿って形成された連結部3とからなるダイレクトバイアホール4をゲートフィンガー8、8間に形成してなる電界効果トランジスタ5において、前記端部2の平面形状が円形6の一部を含む形状7であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

電極の裏面に一対の端部とこの端部間を結ぶ前記電極に沿って形成された連結部とからなるダイレクトバイアホールをゲートフィンガー間に形成してなる電界効果トランジスタにおいて、前記端部の平面形状が円形の一部を含む形状であることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 29/80 U ,  H01L 29/44 B ,  H01L 29/78 301 X

F-Term (26)：

4M104AA05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB15 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104FF27 ,  4M104GG12 ,  5F040DA01 ,  5F040DA29 ,  5F040DC03 ,  5F040EC17 ,  5F040EF03 ,  5F040EH08 ,  5F040FC21 ,  5F102FA10 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GS09 ,  5F102HC11 ,  5F102HC30