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J-GLOBAL ID：200903078013102249

フォトダイオードおよび光通信システム

Inventor： 北村 昇二郎 ,  金子 丈夫 ,  川瀬 健夫
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998291504
Publication number (International publication number)：2000114580
Application date： Sep. 29, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 波長選択性を有し、かつ作製の容易なフォトダイオード、およびこのフォトダイオードを用い、合波器や分波器などの光部品を要せず、極めてシンプルな光回路によって波長分割多重光通信が可能な光通信システムを提供する。【解決手段】 pin型フォトダイオード100は、n型半導体基板101上に積層された光吸収層102およびコンタクト層103を有する。コンタクト層103は、そのバンド幅が光吸収層102のバンド幅より大きく、かつコンタクト層103は、該コンタクト層のバンド幅のエネルギーに相当する波長以下の波長を有する光をぼほ吸収できる膜厚を有する。コンタクト層103のバンド幅のエネルギーに相当する波長をλ<SB>gc</SB>とし、光吸収層102のバンド幅のエネルギーに相当する波長をλ<SB>gi</SB>とすると、光吸収層102では、下記式λ<SB>gc</SB><λ≦λ<SB>gi</SB>を満たす波長λの光が吸収される。

Claim (excerpt)：

半導体基板、該半導体基板上に積層された光吸収層およびコンタクト層が含まれ、前記コンタクト層は、そのバンド幅が前記光吸収層のバンド幅より大きく、かつ前記コンタクト層は、該コンタクト層のバンド幅のエネルギーに相当する波長以下の波長を有する光をぼほ吸収できる膜厚を有する、フォトダイオード。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  G02B 6/122

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  G02B 6/12 B

F-Term (11)：

2H047MA07 ,  2H047QA02 ,  2H047TA05 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA10 ,  5F049NB01 ,  5F049QA17 ,  5F049QA20 ,  5F049SZ07 ,  5F049SZ08