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J-GLOBAL ID：200903078014252104

半導体結晶基板

Inventor： 秦 雅彦 ,  福原 昇 ,  高田 裕章
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993283153
Publication number (International publication number)：1994208963
Application date： Nov. 12, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：

【要約】【目的】Si基板の絶縁特性の悪さ、およびヘテロ界面での導電層の影響による半導体装置の性能低下の防止をはかり、Si基板上に良好な化合物半導体を形成したエピタキシャル成長半導体結晶基板を提供する。【構成】Si基板上に3-5族化合物半導体層を形成した半導体基板において、該化合物半導体層の能動層とSi基板との間に、酸素を添加した高抵抗化合物半導体層を少なくとも1層有することを特徴とするエピタキシャル成長半導体結晶基板。

Claim (excerpt)：

Si基板上に3-5族化合物半導体層を形成した半導体基板において、該化合物半導体層の能動層とSi基板との間に、酸素を添加した高抵抗化合物半導体層を少なくとも1層有することを特徴とするエピタキシャル成長半導体結晶基板。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812