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J-GLOBAL ID：200903078040853094

化学気相成長装置

Inventor： 蔦原 晃一郎 ,  山口 徹
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991266247
Publication number (International publication number)：1993106047
Application date： Oct. 15, 1991
Publication date： Apr. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 各半導体ウエハに同じ厚みで薄膜を形成でき、安価で高性能な化学気相成長装置を得る。【構成】 液体TEOS8を圧送する加圧装置を、ベローズ22を有する容積式ポンプとしてのベローズタンク21によって構成する。ベローズタンク21の液室に、材料タンク7と、真空ポンプ27とを連通した。液体TEOS8は前記液室を真空排気した状態でベローズタンク21に導入され、液室の容積を変えて圧送される。液体TEOS8が圧送時に他の気体に触れないので、圧力低下に伴なう気泡の発生を防ぐことができ、安定した条件の元で薄膜を形成できる。

Claim (excerpt)：

液体反応材料タンクから加圧装置によって圧送された液体反応材料が流量調節弁を通って気化器に供給され、この気化器で気化されて反応チャンバーに導かれる化学気相成長装置において、前記加圧装置を容積式ポンプによって構成し、この加圧装置の液室に、液体反応材料タンクと、真空排気用真空装置とを連通したことを特徴とする化学気相成長装置。

IPC (3)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-156085
  
• 特開平3-008330
  
• 特開平2-214536