薄膜半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994339320
Publication number (International publication number)：1996186268
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】レーザビーム照射により結晶化される半導体薄膜の厚みバラツキを抑制する。【構成】薄膜半導体装置を製造する為、先ず成膜工程を行ない絶縁基板1上に半導体薄膜2を形成する。次に照射工程を行ない、半導体薄膜2にレーザビームを照射して結晶化を図る。最後に加工工程を行ない、半導体薄膜2を素子領域として薄膜トランジスタを集積形成する。照射工程では、比較的強度が大きく断面積3が小さい第1のレーザビームSと、比較的強度が小さく断面積4が大きい第2のレーザビームWとを互いに重ねた状態で同時に半導体薄膜2に照射する。これにより、結晶化領域5とこれを囲む熱励起領域6との間で熱の分布差が小さくなり、溶融状態から固化状態に遷移する時膜応力を最小に抑える事が可能になる。この為、レーザ照射後の膜厚のバラツキが小さくなる。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に半導体薄膜を形成する成膜工程と、該半導体薄膜にレーザビームを照射して結晶化を行なう照射工程と、該半導体薄膜を素子領域として薄膜トランジスタを集積形成する加工工程とを含む薄膜半導体装置の製造方法であって、前記照射工程は比較的強度が大きく断面積が小さい第1のレーザビームと、比較的強度が小さく断面積が大きい第2のレーザビームとを互いに重ねた状態で同時に該半導体薄膜に照射する事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭62-160781
特開平2-226718
特開平4-260336

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