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J-GLOBAL ID：200903078073272623

超音波振動素子駆動回路およびFET駆動回路

Inventor： 七戸 金吾
Applicant, Patent owner： ジーイー横河メディカルシステム株式会社
Agent (1)： 有近 紳志郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994020221
Publication number (International publication number)：1995231247
Application date： Feb. 17, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：

【要約】【目的】 回路構成を簡単化し、効率を向上し、駆動周波数やデューティ比の自由度を向上する。【構成】 FET2のドレインとFET3のドレインとを接続し、その接続点とグランドの間に超音波振動素子Lを接続し、FET2のソース側に正電源+HVを接続し、FET3のソース側に負電源-HVを接続し、FET2のゲート-ソース間に抵抗R2を接続し、FET3のゲート-ソース間に抵抗R4を接続し、FET2のゲート側をアノードにしソース側をカソードにしてダイオードD1をFET2のゲート-ソース間に接続するか又はFET3のゲート側をカソードにしソース側をアノードにしてダイオードD2をFET3のゲート-ソース間に接続するかのいずれか又は両方の接続を行なう。【効果】 パルストランスやそのドライバ回路が不要となり、また、電源の種類が少なくて済む。前記ドライバ回路での電力損失がない。さらに、前記ドライバ回路での発熱の問題がないため、駆動周波数やデューティ比に余裕ができる。

Claim (excerpt)：

PチャネルMOS型FETのドレインとNチャネルMOS型FETのドレインとを接続し、その接続点とグランドの間に超音波振動素子を接続し、前記PチャネルMOS型FETのソース側に正電源を接続し、前記NチャネルMOS型FETのソース側に負電源を接続し、前記PチャネルMOS型FETのゲート-ソース間に第1の抵抗を接続し、前記NチャネルMOS型FETのゲート-ソース間に第2の抵抗を接続し、前記PチャネルMOS型FETのゲート側をアノードにしソース側をカソードにしてダイオードを前記PチャネルMOS型FETのゲート-ソース間に接続するか又は前記NチャネルMOS型FETのゲート側をカソードにしソース側をアノードにしてダイオードを前記NチャネルMOS型FETのゲート-ソース間に接続するかのいずれか又は両方の接続を行ない、所定の駆動信号を前記PチャネルMOS型FETのゲートおよび前記NチャネルMOS型FETのゲートにそれぞれコンデンサを介して加え、プッシュプル動作により前記超音波振動素子を駆動することを特徴とする超音波振動素子駆動回路。

IPC (3)：

H03K 5/04 ,  A61B 8/00 ,  B06B 1/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 超音波断層装置の超音波送信パルス発生回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-021026   Applicant：株式会社日立メディコ