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J-GLOBAL ID：200903078076501607

素子分離領域の形成方法

Inventor： 土屋 賀子
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993222140
Publication number (International publication number)：1995058195
Application date： Aug. 13, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 膜厚の均等な素子分離領域の形成方法を提供することによって、半導体装置の信頼性の向上を図ることを目的とする。【構成】 基板11上の酸化防止膜13に開口部14,15を形成する。次いで、基板11を回転させながら、所定の開口幅W1 を有する開口部14に露出する基板11の全面にシリコンイオン,ガリウムイオンまたはゲルマニウムイオンのうちの少なくとも1種類の酸化抑制イオン1が入射する角度θで酸化抑制イオン1を各開口部14,15から基板11中に注入する。これによって、各開口部14,15の開口幅W1 ,W2 に対応する量の酸化抑制イオン1が各開口部14,15から基板11中に注入される。そして、基板11の酸化処理を行うことによって、膜厚T1 ,T2 のより均等な素子分離領域16,17が形成される。

Claim (excerpt)：

基板上に成膜した酸化防止膜に開口部を形成し、当該酸化防止膜をマスクにして前記基板の酸化処理を行うことによって、前記開口部に露出する前記基板に酸化膜よりなる素子分離領域を形成する方法において、前記基板の酸化処理を行う前に、前記酸化防止膜の各開口部の開口幅に対応する量のシリコンイオン,ガリウムイオンまたはゲルマニウムイオンのうちの少なくとも1種類の酸化抑制イオンを前記各開口部から前記基板中に注入することを特徴とする素子分離領域の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/76 M ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/94 A