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J-GLOBAL ID：200903078079817117

半導体装置の製造方法

Inventor： 中野 正 ,  佐藤 伸良 ,  太田 与洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993068856
Publication number (International publication number)：1994283519
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 絶縁膜として埋め込み性が良好であるとともにボイドを有しない、しかも膜中の含水率の小さい優れた膜質のものを形成する。【構成】 有機シランを原料ガスとして用い、酸化性ガスと反応させる化学気相成長により半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、この化学気相成長を行う反応容器内にまず有機シランを供給し、次いで酸化性ガスを供給する。かくして成膜の初期にエタノールやメタノールを生成させることができ、下地依存性を効果的に改善することができる。

Claim (excerpt)：

有機シランを原料ガスとして用い、酸化性ガスと反応させる化学気相成長により半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、この化学気相成長を行う反応容器内にまず有機シランを供給し、次いで酸化性ガスを供給して、上記絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/90