半導体製造装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997010652
Publication number (International publication number)：1998209014
Application date： Jan. 23, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】リソグラフィーの限界解像度付近では、フォーカスマージンの低下、レジストアスペクト比の増大、下地からの光の反射の影響、レンズの歪等の影響によりパターニングが非常に困難で、現像不良が多発している。【解決手段】デベロッパー3でウェーハ6の現像を行った後にプラズマエッチングチャンバー8でレジスト表面を軽くドライエッチングを行ってウェーハ6の基板上のレジスト残りや裾引きを能動的に取り除いてやることで良好なパターン形成を可能にする。そのため、フォトレジストのリソグラフィの現像に用いる半導体製造装置にドライエッチングのプラズマエッチングチャンバー8を付加し作業をインラインで出来るようにしたものである。

Claim (excerpt)：

前処理ウェーハを収納するローダーと、前記ウェーハの外周を露光する周辺露光ユニットと、露光済みの前記ウェーハをベークするプリベーキングホットプレートと、現像を行うデベロッパーと、現像後の前記ウェーハのベーキングを行う2セットのポストベーキングホットプレートと、処理後の前記ウェーハを収納するアンローダと、前記ウェーハを搬送するメカニカルアームとを有する半導体製造装置において、前記2セットのポストベーキングホットプレートと前記アンローダーとの間にプラズマエッチングチャンバーを設けたことを特徴とするリソグラフィーの現像に用いる半導体製造装置。

IPC (5)：

H01L 21/027 , G03F 7/38 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/3065 , H01L 21/68

FI (6)：

H01L 21/30 570 , G03F 7/38 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/68 A , H01L 21/30 502 J , H01L 21/302 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭62-256430
特開昭60-149135
特開平2-048667

Show all

Return to Previous Page