Pat

J-GLOBAL ID：200903078087134568

ウエット処理方法及び処理装置

Inventor： 三森 健一 ,  大見 忠弘 ,  山中 弘次 ,  今岡 孝之 ,  二つ木 高志 ,  山下 幸福 ,  吉澤 道雄
Applicant, Patent owner： 株式会社フロンテック ,  オルガノ株式会社 ,  大見 忠弘
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995169956
Publication number (International publication number)：1997019668
Application date： Jul. 05, 1995
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】 被処理物を洗浄する際に、必要最小限の薬品使用量でかつ必要最小限の工程で、しかも従来より高い洗浄度でウエット処理することが可能なウエット処理方法及び処理装置を提供すること。【手段】 被処理物を、所定の電気分解装置に純水または超純水を導入し電解して得たアノード水またはカソード水を用いてウエット処理する方法であって、ウエット処理を、該アノード水またはカソード水に30KHz以上の超音波を照射しながら行うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

被処理物を、所定の電気分解装置に純水または超純水を導入し電解して得たアノード水またはカソード水を用いてウエット処理する方法であって、ウエット処理を、該アノード水またはカソード水に30KHz以上の超音波を照射しながら行うことを特徴とするウエット処理方法。

IPC (3)：

B08B 3/12 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/308

FI (3)：

B08B 3/12 Z ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/308 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 洗浄装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-244971   Applicant：株式会社東芝
• 噴射形超音波洗浄装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-098550   Applicant：株式会社国際電気エルテック, 株式会社渡邊商行
• 特開平4-256473
  
• 電子デバイス洗浄方法および装置並びにこの洗浄方法を用いて洗浄したシリコンウエハ基板あるいはガラス基板を使用して製造した電子デバイスおよび前記使用純水の評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-242182   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-284640   Applicant：富士通株式会社
• 半導体基板の洗浄装置および洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-292592   Applicant：信越半導体株式会社, 株式会社プレテック

Cited by examiner (3)

• 洗浄装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-244971   Applicant：株式会社東芝
• 噴射形超音波洗浄装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-098550   Applicant：株式会社国際電気エルテック, 株式会社渡邊商行
• 特開平4-256473