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J-GLOBAL ID：200903078089004050

酸化インジウム系焼結体および酸化物焼結体の製造方法

Inventor： 一安 六夫
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社 ,  株式会社安来精密
Agent (1)： 大場 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1990410685
Publication number (International publication number)：1993155651
Application date： Dec. 14, 1990
Publication date： Jun. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高能率でスパッタリングを行なっても、アーキングや生成スパッタ膜の汚染を生ずることのない酸化インジウム系スパッタリングターゲットを提供する。【構成】 I.相対密度の85%以上かつ酸化度が96%以上のインジウム系焼結体。II.目的物の組成に調合した粉末またはその成形品を、酸化物となったとき、目的製品より高い酸素解離圧を示す金属等で内面を覆ったカプセルを使用して熱間静水圧プレスで焼結圧密化する。

Claim (excerpt)：

酸化インジウムを基とし、酸化錫またはさらに酸化亜鉛を0.5〜20wt%含有する酸化インジウム系焼結体において、相対密度が85%以上であり、かつ上記それぞれの酸化物がIn2O3,SnO2およびZnOとなったとしたときの化学当量酸素の96.0%以上の酸素量を含有することを特徴とする酸化インジウム系焼結体。

IPC (2)：

C04B 35/00 ,  C23C 14/34