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J-GLOBAL ID：200903078089644857

半導体集積回路装置

Inventor： 杉浦 順 ,  土屋 修 ,  小笠原 誠 ,  大塚 文雄 ,  鳥居 和功 ,  浅野 勇 ,  大和田 伸郎 ,  堀内 光明 ,  田丸 剛 ,  青木 英雄 ,  大塚 伸宏 ,  白井 精一郎 ,  佐川 雅一 ,  池田 良広 ,  加賀 徹 ,  恒岡 正年 ,  新名 朋次 ,  大岸 秀次 ,  笠原 修 ,  榎並 弘充 ,  若原 篤志 ,  秋森 裕之 ,  鈴木 慎一 ,  船津 圭亮 ,  川崎 義直 ,  坪根 恒彦 ,  古賀野 正佳 ,  津金 賢
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996064077
Publication number (International publication number)：1996250683
Application date： Mar. 20, 1989
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【課題】 下地絶縁膜と配線との接着性を向上させ、配線の加工精度を向上させる。【解決手段】 半導体基板の主面上に形成された絶縁膜上に形成された配線の金属膜が、スパッタ法で形成された第1金属膜と、CVD法で形成された第2金属膜を有し、前記第2金属膜は、前記第1金属膜の上に形成されている。スパッタ法で堆積した遷移金属膜は前記下地絶縁膜、配線の夫々との接着性が高いので、前記下地絶縁膜と配線との接着性を向上することができると共に、前記スパッタ法で堆積した遷移金属膜はその上層の配線と実質的に同種の遷移金属膜で形成されているので、配線及びその下層の遷移金属膜の加工精度を向上することができる。

Claim (excerpt)：

主面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主面上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された金属膜からなる複数の配線とを有する半導体集積回路装置において、前記金属膜は、スパッタ法で形成された第1金属膜と、CVD法で形成された第2金属膜を有し、前記第2金属膜は、前記第1金属膜の上に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78

FI (5)：

H01L 27/10 681 B ,  H01L 21/90 B ,  H01L 27/08 321 F ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 29/78 301 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-199827
  
• 特開昭63-205951
  
• 特開平2-134815
  
• 特開平2-228034