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J-GLOBAL ID：200903078092112718

多結晶シリコン薄膜の製造方法

Inventor： 河村 真一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997260303
Publication number (International publication number)：1999102861
Application date： Sep. 25, 1997
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】 多結晶シリコン薄膜の製造プロセスにおいて、プラズマCVDにより堆積された非晶質シリコン薄膜の脱水素処理を効果的に行う方法を提供する。【解決手段】 プラズマCVD装置の反応室内に基板1を収容し、反応ガス及びキャリアガスを供給しながら、プラズマ放電により基板上に非晶質シリコン薄膜3を堆積する。非晶質シリコン薄膜3の堆積終了後、反応室内に前記基板を放置して、非晶質シリコン薄膜3の脱水素処理を行う。なお、放置の際、反応室内へのキャリアガスの供給を続けながら、反応室内の圧力を堆積時の圧力よりも高めに調整する。脱水素処理の終了後、前記基板を反応室内から取り出し、非晶質シリコン薄膜3にXeClエキシマレーザを照射して、多晶質シリコン薄膜4に変える。

Claim (excerpt)：

プラズマCVD装置の反応室内に基板を収容し、反応ガス及びキャリアガスを供給しながら、プラズマ放電により基板上に非晶質シリコン薄膜を堆積し、堆積終了後、減圧雰囲気下で前記反応室内に前記基板を放置することにより、非晶質シリコン薄膜に脱水素処理を施し、脱水素処理終了後、前記基板を前記反応室内から取り出し、非晶質シリコン薄膜にレーザビームを照射することにより、非晶質シリコン薄膜を多結晶化することを特徴とする多結晶シリコン薄膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/205