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J-GLOBAL ID：200903078102470600

セラミックス配線基板の製造方法

Inventor： 篠澤 法子 ,  浅井 博紀
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992003780
Publication number (International publication number)：1993191018
Application date： Jan. 13, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 より微細で複雑なパターンを有する金属配線層を再現性よく、かつ安価にセラミックス基板上に形成することを可能にしたセラミックス配線基板の製造方法を提供する。【構成】 セラミックス基板1上に、所望の配線パターンの形成部位を除く部分にレジストパターン2を形成する。セラミックス基板1上の配線パターンの形成部位に、レジストパターン2を遮蔽材として、薄膜形成法により活性金属成分を含むろう材層3を形成する。レジスト膜を除去する。ろう材層3上に配線パターン形状の金属配線板4を積層配置し、熱処理を施すことによりセラミックス基板1と金属配線板4とを接合して、微細で複雑なパターンを有する金属配線層を形成する。

Claim (excerpt)：

セラミックス基板上に、所望の配線パターンを有する金属配線層を形成して、セラミックス配線基板を製造するにあたり、前記セラミックス基板上に、前記配線パターンの形成部位を除く部分にレジストパターンを形成する工程と、前記セラミックス基板上の前記配線パターンの形成部位に、前記レジストパターンを遮蔽材として、薄膜形成法により活性金属成分を含むろう材層を形成する工程と、前記レジスト膜を除去する工程と、前記ろう材層上に前記配線パターン形状の金属配線板を積層配置し、熱処理を施すことにより前記セラミックス基板と該金属配線板とを接合して、前記金属配線層を形成する工程とを有することを特徴とするセラミックス配線基板の製造方法。