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J-GLOBAL ID：200903078113293416

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

Inventor： 前坂 明弘
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999276962
Publication number (International publication number)：2001101626
Application date： Sep. 29, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】 バイアス層へのセンス電流の分流を防ぐ。【解決手段】 バイアス層5を形成するときに、磁性結晶粒子と、非磁性絶縁物質とを同時にスパッタする。このように、同時にスパッタすることにより、バイアス層5絶縁性が大きくなり、コンダクタンスが下がる。これにより、リード電極層6に流れるセンス電流が、バイアス層5へ分流することを防止できる。

Claim (excerpt)：

基板上に薄膜状に形成された磁気抵抗効果膜と、上記磁気抵抗効果膜の長手方向に形成され、且つ上記磁気抵抗効果膜の長手方向の両端部に磁気的に接続された一対のバイアス層と、これらバイアス層の直上にそれぞれ薄膜状に形成され、且つ上記磁気抵抗効果膜にオーバーラップして形成された一対のリード電極とを備え、上記バイアス層は、磁性結晶粒子間に非磁性絶縁物質が満たされてなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/12

FI (5)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 B ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/12

F-Term (6)：

5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA09 ,  5D034BA21 ,  5D034CA04 ,  5D034DA07