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J-GLOBAL ID：200903078116744575
パターン形成方法
Inventor：
,
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994004598
Publication number (International publication number)：1995209863
Application date： Jan. 20, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】 従来の回転塗布法に比較して膜厚の制御性に優れ、基板上に形成された薄膜の有機溶媒の除去、乾燥工程がなく作業環境性に優れ、基板上のポリ尿素膜に所望のフォトレジストのパターン形状を極めて容易に形成出来るパターン形成方法。【構成】 真空中でジアミンとジイソシアナートとから成る原料モノマーを蒸発させ、これらを基板上で蒸着重合させて該基板上に低分子量のポリ尿素膜を形成し、該ポリ尿素膜にパターン形成用マスクを通して紫外線を照射し、照射された該ポリ尿素膜を高分子量化した後、有機溶剤により未照射部分のポリ尿素を取り除く。
Claim (excerpt)：
真空中でジアミンとジイソシアナートとから成る原料モノマーを蒸発させ、これらを基板上で蒸着重合させて該基板上に低分子量のポリ尿素膜を形成し、該ポリ尿素膜にパターン形成用マスクを通して紫外線を照射し、照射された該ポリ尿素膜を高分子量化した後、有機溶剤により未照射部分のポリ尿素を取り除くことより成るパターン形成方法。
IPC (4)：
G03F 7/038
, C08G 18/02 NDT
, G03F 7/36
, H01L 21/027
Cited by examiner (10)
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