不揮発性メモリセルおよびその使用方法、製造方法ならびに不揮発性メモリアレイ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：田中香樹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000312054
Publication number (International publication number)：2001148434
Application date： Oct. 12, 2000
Publication date： May. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】低電圧駆動および高速プログラムならびに高密度集積の可能な不揮発性メモリセルおよびその使用方法、製造方法ならびに不揮発性メモリアレイを提供する。【解決手段】基板10の表面にはp型ウエル101が形成され、p型ウエル101の表面では、第1のおよび第2のn+ 領域121、122に挟まれるように、チャネル形成領域110が規定されている。前記チャネル形成領域110では、第1のn+ 領域121と接するようにキャリア供給部111が形成され、第2のn+ 領域122と接するようにキャリア加速注入部112が形成され、前記キャリア供給部111およびキャリア加速注入部112は相互に接している。

Claim (excerpt)：

基板の主表面に、半導体のチャネル形成領域を挟んで反対導電型の第1および第2不純物領域が形成され、前記チャネル形成領域の表面に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、前記ゲート絶縁膜のキャリア保持機能へキャリアを注入・蓄積する不揮発性メモリセルにおいて、前記第1および第2不純物領域の一方に加速電位を選択的に供給する加速電位供給手段を具備し、前記チャネル形成領域は、キャリアの進行方向に沿って配置されたキャリア供給部およびキャリア加速注入部を含み、前記キャリア供給部は、前記第1および第2不純物領域の他方から供給されたキャリアを前記キャリア加速注入部へ供給し、前記キャリア加速注入部は、キャリア供給部から供給されたキャリアを、前記加速電位を供給されて隣接する第1および第2不純物領域の一方との近傍において前記ゲート絶縁膜へ部分注入することを特徴とする不揮発性メモリセル。

IPC (7)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/04 , G11C 16/06 , G11C 16/02 , H01L 27/115

FI (5)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 621 Z , G11C 17/00 632 Z , G11C 17/00 641 , H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

不揮発性半導体記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-297907 Applicant：ローム株式会社
半導体記憶装置およびその記憶情報読出方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-279829 Applicant：ローム株式会社
自己整列デュアルビット分割ゲートフラッシュEEPROMセル
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-518450 Applicant：ヒュンダイエレクトロニクスインダストリーズカムパニーリミテッド

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Low Voltage, Low Current, High Speed Program Step Split Gate Cell with Ballistic Direct Injection fo

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