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J-GLOBAL ID：200903078125032316

有機双安定素子を用いた不揮発性メモリ

Inventor： 宮脇 守 ,  グイロン リャン
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (4)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005178363
Publication number (International publication number)：2006013491
Application date： Jun. 17, 2005
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：

【課題】 不揮発性メモリに用いる有機双安定素子を提供する。【解決手段】 有機双安定素子10は、金属ナノクラスタ層13が第1、第2の有機層12,15の間に配置された状態で前記第1、第2の有機層12,15を間に挟んだ第1、第2の金属電極11,16を備える。前記素子は、前記金属ナノクラスタ層13と前記金属電極の1つ16との間に配置された第1の電子ブロック層14を更に備える。このような構造により、改善された電荷保持特性を有する有機双安定素子が得られる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

金属ナノクラスタ層が第1、第2の有機層の間に配置された状態で前記第1、第2の有機層を間に挟んだ第1、第2の金属電極と、 前記金属ナノクラスタ層と前記金属電極の1つとの間に配置された電子ブロック層と、 を備えることを特徴とする有機双安定素子。

IPC (3)：

H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  G11C 13/00

FI (3)：

H01L27/10 449 ,  G11C13/00 A ,  H01L29/28

F-Term (8)：

5F083FZ07 ,  5F083GA11 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA44 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許出願公開第2004/0027849号