CVD装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：恩田博宣 , 恩田誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004213465
Publication number (International publication number)：2006028625
Application date： Jul. 21, 2004
Publication date： Feb. 02, 2006
Summary：

【課題】サセプタとしてカーボン材料を用いる場合であれ、半導体基板上にエピタキシャル膜を均一に、しかも安定して成膜することのできるCVD装置を提供する。【解決手段】カーボン材料からなるサセプタ(11、12)を容器10内に備え、同じく容器10内に設置された炭化珪素(SiC)からなる半導体基板70を下部サセプタ12が加熱されることに基づき加熱しつつ、同容器10内に水素ガス(H2)を含有するキャリアガスおよびシランガス(SiH4)およびプロパンガス(C3H8)からなる原料ガスを供給して半導体基板70の表面にエピタキシャル膜を成膜する。このとき下部サセプタ12の少なくとも半導体基板70と対向する面には、例えば熱分解炭素膜等、キャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材16をあらかじめ成膜しておく。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

カーボン材料からなるサセプタを容器内に備え、同じく容器内に設置された基板を前記サセプタが加熱されることに基づき加熱しつつ、同容器内にキャリアガスおよび原料ガスを供給して前記基板の表面にエピタキシャル膜を成膜せしめるCVD装置であって、前記サセプタの少なくとも前記基板と対向する面には、前記キャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材が成膜されてなることを特徴とするCVD装置。

IPC (4)：

C23C 16/44 , C23C 16/42 , H01L 21/205 , H01L 21/683

FI (4)：

C23C16/44 B , C23C16/42 , H01L21/205 , H01L21/68 N

F-Term (29)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030GA01 , 4K030GA06 , 4K030KA24 , 4K030KA46 , 5F031CA02 , 5F031HA02 , 5F031HA46 , 5F031HA59 , 5F031MA28 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AD18 , 5F045BB15 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045EK03 , 5F045EM09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

炭化珪素製造方法、炭化珪素及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-242171 Applicant：ホーヤ株式会社

Cited by examiner (5)

炭化珪素膜のCVD方法、CVD装置及びCVD装置用サセプター
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-274349 Applicant：株式会社東芝, 独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社日立製作所, 三洋電機株式会社
ヒータ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-149053 Applicant：東芝機械株式会社
半導体結晶の製造方法およびこれを利用する製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-304642 Applicant：財団法人電力中央研究所

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