半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：工藤実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997288056
Publication number (International publication number)：1999111968
Application date： Oct. 03, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】不純物の混入によるドナーの不活性化に基づく熱的不安定性を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数の半導体層からなる半導体積層構造を形成するステップと、前記半導体積層構造は、第1の層とキャリアを供給するための第2の層とを含み、前記半導体積層構造上に第1の電極構造を形成するステップと、及び電界ストレスにより第2の層内の負イオン化した不純物を第1の層に移動させるステップとを具備する。

Claim (excerpt)：

複数の半導体層からなる半導体積層構造を形成するステップと、前記半導体積層構造は、第1の層とキャリアを供給するための第2の層とを含み、前記半導体積層構造上に第1の電極構造を形成するステップと、及び電界ストレスにより第2の層内の負イオン化した不純物を第1の層に移動させるステップとを具備する半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/265 , H01L 27/10 451

FI (3)：

H01L 29/80 H , H01L 27/10 451 , H01L 21/265 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-170103 Applicant：富士通株式会社
半導体装置の製造方法、及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-215843 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-051977 Applicant：株式会社東芝

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