GaN系半導体発光素子を備えた光源装置および迷光除去方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柳田征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999194057
Publication number (International publication number)：2001024230
Application date： Jul. 08, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 GaN系半導体発光素子を備えた光源装置において、発光素子の駆動電流変化による光スポット形状の変動を防止する。【解決手段】 GaN系半導体発光素子20を備えた光源装置において、半導体発光素子20から発せられた光21から、該半導体発光素子20の最大出力下では全出力の20%以下となる迷光を除去する、スリット板等の空間フィルタ23を設ける。

Claim (excerpt)：

GaN系半導体発光素子を備えた光源装置において、前記GaN系半導体発光素子から発せられた光から、該半導体発光素子の最大出力下では全出力の20%以下となる迷光を除去する空間フィルタが設けられたことを特徴とするGaN系半導体発光素子を備えた光源装置。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 5/02

FI (2)：

H01L 33/00 M , H01S 5/02

F-Term (34)：

5F041AA14 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA36 , 5F041CA39 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F041CB05 , 5F041EE11 , 5F041EE22 , 5F041EE25 , 5F041FF16 , 5F073AA11 , 5F073AA74 , 5F073AB21 , 5F073AB27 , 5F073AB29 , 5F073BA09 , 5F073CA07 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073EA07 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-230537 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開昭63-136018
特開昭49-104590

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