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J-GLOBAL ID：200903078149650576

移植層成形方法及び移植層成形装置

Inventor： 谷口 博宣
Applicant, Patent owner： 谷口 博宣
Agent (1)： 安田 敏雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996110968
Publication number (International publication number)：1997294402
Application date： May. 01, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 長ネギの苗を植えるための移植層(溝)をつくるに際し、移植層の上面が細土主体となるようにして、苗の直立性及び活着性を良好にする。【解決手段】 アッパーカットロータリ10で耕うんをしつつ、レイキ3によって細土Aだけを後方へ放出させ、粗土Bは下へ落とす。そして、培土機6により土を左右へ切り開く前に、小型のサブ培土機7により、粗土Bの層を予め左右へ切り開くようにする。そのため、サブ培土機7で切り開かれた部分に細土Aが上積みされるようになり、培土機6の通過後にできる移植層Eは、その上面も両側の盛土部分も、細土A主体となる。

Claim (excerpt)：

ロータリ耕うんの後、所定深さの層を培土機(6)によって左右に切り開くのに先立ち、これより更に深い層をサブ培土機(7)によって予め左右に切り開いてゆくようにすることを特徴とする移植層成形方法。

IPC (3)：

A01B 33/10 ,  A01B 13/02 ,  A01B 13/08

FI (3)：

A01B 33/10 C ,  A01B 13/02 Z ,  A01B 13/08 Z