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J-GLOBAL ID：200903078153271601

半導体ミリ波装置

Inventor： 廣田 正樹 ,  野尻 秀智
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992230251
Publication number (International publication number)：1994077709
Application date： Aug. 28, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】製造が容易で、信号の伝送損失および劣化を小さくすることの出来る半導体ミリ波装置を提供する。【構成】半導体基板1と、上記半導体基板1の主面に形成された溝2′またはリッジ26からなる導波路2と、上記半導体基板1に形成され、電磁波の送信または受信もしくは双方を行なう入出力結合装置5と、上記半導体基板の主平面に形成された半導体素子3、4と、を備えた半導体ミリ波装置。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、上記半導体基板の主面に形成された溝またはリッジからなる導波路と、上記半導体基板に形成され、電磁波の送信または受信もしくは双方を行なう入出力結合装置と、上記半導体基板の主面に形成された半導体素子と、を有することを特徴とする半導体ミリ波装置。

IPC (4)：

H01P 3/123 ,  H01L 27/04 ,  H01P 3/08 ,  H01P 5/107