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J-GLOBAL ID：200903078158588522

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 村尾 幸信
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992317005
Publication number (International publication number)：1994163723
Application date： Nov. 26, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】微細化された半導体素子を有する半導体装置に適した層間絶縁膜を提供する。【構成】半導体素子がノンドープのCVDシリコン酸化膜110により覆われ、この上にBPSG膜120,オゾン・テオスNSG膜130a,およびオゾン・テオスNSG膜131からなる層間絶縁膜が形成されている。このBPSG膜120の膜厚は50nm以上,200nm以下であり、このBPSG膜120は700°C以上,800°C以下の温度で熱処理される。上記オゾン・テオスNSG膜130a,131も、それぞれ700°C以上,800°C以下の温度で熱処理さる。

Claim (excerpt)：

高融点導電体材料からなる下層配線層とアルミニウム系金属膜からなる上層配線との間の層間絶縁膜が、少なくともBPSG膜および該BPSG膜上に積層されたオゾンとテトラ・エトキシ・シランとの化学気相反応によるノンドープのシリコン酸化膜を含む表面が平坦化された層間絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-243553
  
• 特開平1-228135
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-270832   Applicant：松下電器産業株式会社