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J-GLOBAL ID：200903078200538085
光半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992080143
Publication number (International publication number)：1993315652
Application date： Apr. 02, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】優れた耐熱特性を有し、しかも光特性が良好な透光性樹脂で封止された光半導体装置を提供する。【構成】屈折率がエポキシ樹脂と等しくなるように成分調整されたフィラーを含んだ透光性エポキシ系樹脂で封止された光半導体装置。このフィラーは、主成分Si酸化物に、少なくともGe酸化物またはPb酸化物またはBa酸化物またはP酸化物またはAl酸化物またはTi酸化物またはTa酸化物またはLa酸化物または稀元素酸化物を適当な量添加して、フィラーの屈折率をエポキシ樹脂の屈折率と等しくしている。
Claim (excerpt)：
少なくとも発光素子または受光素子を、フィラーを含んだ透光性エポキシ系樹脂で封止する光半導体装置において、該フィラーの屈折率が、上記エポキシ樹脂の屈折率と等しいことを特徴とする光半導体装置。
IPC (4)：
H01L 33/00
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 31/12
