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J-GLOBAL ID：200903078203468720

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

Inventor： 木村 亨
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991345623
Publication number (International publication number)：1993211157
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 コレクタトップ型n-GaAs/p-Ge/n-GeHBTのエミッタコンタクト抵抗を低減し、コレクタ電流密度を増加させることで高速動作を実現する。【構成】 高濃度n型GaAsバッファー層3とn型GaAsエミッタ層7の間に高濃度InAs層4を挿入し、このInAs層4上にエミッタ電極5を作製する。InAsは露出した表面が自然にn転するため理想的なホミックコレタクトになり、コレタクト抵抗は1×10- 8 Ωcm2 程度にでき、コレクタ電流密度が1×105 A/cm2 と大きくとれる。

Claim (excerpt)：

砒化ガリウムをエミッタ、ゲルマニウムをベース、コレクタとし、エミッタが基板側にあるコレクタトップ型のnpn型ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいてエミッタ電極とエミッタとの間に砒化インジウム層、もしくは砒化インジウムガリウム層、もしくは砒化インジウムと砒化ガリウムの超格子構造を有することを特徴としたヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205