Pat
J-GLOBAL ID：200903078203869333
半導体発光装置
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996114571
Publication number (International publication number)：1997298342
Application date： May. 09, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：
【要約】【課題】II-VI族半導体を用いたレーザダイオードに対して、電流狭窄構造、および、光導波構造を容易に、かつ、再現性良く形成する作製法を与える。【解決手段】マグネシウムを含むクラッド層を酸化する。【効果】II-VI族半導体を用いたレーザダイオードの低閾電流化、および、横モードの制御が可能となり、信頼性の高い短波長レーザが得られた。
Claim (excerpt)：
II-VI族半導体を含んで構成された半導体発光装置において、上記発光装置を構成するII-VI族半導体の酸化領域を設けて電流の流れる領域を制限したことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2)：
FI (2)：
Return to Previous Page
