半導体製造装置の反応炉

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994181850
Publication number (International publication number)：1996031756
Application date： Jul. 11, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体製造装置の反応炉に於いて、排気系での清掃作業を効率よく行える様にする。【構成】反応副生成物が付着する領域に臨む面に着脱可能な覆壁面材14,22を設け、反応副生成物の除去清掃は、覆壁面材を取出し、該覆壁面材に対して実施する。

Claim (excerpt)：

反応副生成物が付着する領域に臨む面に着脱可能な覆壁面材を設けたことを特徴とする半導体製造装置の反応炉。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 21/304 341 , H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平2-002617
半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-193028 Applicant：三菱電機株式会社
半導体製造装置及びその清掃方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-227206 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム

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