誘導結合型CVDを使用した有機EL用素子成膜装置および製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002082229
Publication number (International publication number)：2003282250
Application date： Mar. 25, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】この発明は、80°C以下の低温で有機材料にプラズマでのダメージが無く、有機ELの保護膜に高分子ポリマーとシリコンオキシナイトライド及びシリコンナイトライドを成膜する事により水分及び酸素の外部からの浸入を防ぐのを目的とする。【解決手段】この発明はプラズマ発生器に誘導結合型プラズマソースを使用することにより、減圧された真空容器内に有機EL基板の陰極電極9の上面に最初に高分子ポリマー10をプラズマCVDで成膜後、その上のシリコンオキシナイトライド及びシリコンナイトライド11を成膜する有機ELエレクトロルミネッサンス素子の製造方法であって、有機EL素子の9の上側の面ICP-CVD方法で酸化防止用保護膜10と11を形成する。

Claim (excerpt)：

減圧された真空容器内に処理ガスを導入して、有機ELの素子に高分子ポリマー、シリコンオキシナイトライドSiON、シリコンナイトライド(SiN)を成膜する誘導結合型CVD装置であって、真空容器の上側に配置されたコイル状の外部電極(12)に13.56MHZの高周波電力を印加すると、絶縁体の透過窓を通じて高周波電力が真空容器内に投入されることにより、高分子ポリマー、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライドを成膜するプラズマCVD方式。

IPC (6)：

H05B 33/10 , B01J 3/00 , B01J 19/08 , C23C 16/507 , H05B 33/04 , H05B 33/14

FI (6)：

H05B 33/10 , B01J 3/00 J , B01J 19/08 H , C23C 16/507 , H05B 33/04 , H05B 33/14 A

F-Term (34)：

3K007AB12 , 3K007AB13 , 3K007AB18 , 3K007BB02 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 3K007FA02 , 4G075AA24 , 4G075BC04 , 4G075CA03 , 4G075CA25 , 4G075CA47 , 4G075CA51 , 4G075CA65 , 4G075DA02 , 4G075DA18 , 4G075EB01 , 4G075EC21 , 4G075EE40 , 4G075FB01 , 4G075FB12 , 4G075FC15 , 4K030BA29 , 4K030BA38 , 4K030BA40 , 4K030BA42 , 4K030BA61 , 4K030BB12 , 4K030DA02 , 4K030FA04 , 4K030JA03 , 4K030JA10 , 4K030JA18 , 4K030LA18

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