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J-GLOBAL ID：200903078217469486

酸化物薄膜のパターンニング方法とこれに用いる装置

Inventor： 西原 宗和 ,  横山 政秀 ,  大西 陽一 ,  中山 達雄 ,  石井 昌
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社 ,  東洋精密工業株式会社
Agent (1)： 石原 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993156590
Publication number (International publication number)：1995041936
Application date： Jun. 28, 1993
Publication date： Feb. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 メタルマスクの使用による不利益なく、しかも高精度形状のパターンニングを高速でかつ低コストで実現できるようにする。【構成】 基板2上の酸化物薄膜3を、この表面に施した耐ブラスト性レジスト6を介してブラスト処理することにより、酸化物薄膜3の不要部分を除去し所定のパターンに形成することを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

基板上の酸化物薄膜を、この表面に施した耐ブラスト性レジストを介してブラスト処理することにより、酸化物薄膜の不要部分を除去し所定のパターンに形成することを特徴とする酸化物薄膜のパターンニング方法。

IPC (5)：

C23C 14/04 ,  C30B 25/04 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/22 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-294180
  
• 特開平4-123745
  
• 連続湿式サンドブラスト加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-284964   Applicant：九州電子金属株式会社, 住友シチツクス株式会社
• 特開昭58-066665
  
• 特開昭57-028334