Pat

J-GLOBAL ID：200903078228742621

結合型基板の結合界面のボロン評価方法

Inventor： 三谷 清 ,  片山 正健 ,  中沢 一志
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社 ,  長野電子工業株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994222267
Publication number (International publication number)：1995153808
Application date： Sep. 16, 1994
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 SIMS測定で得られたボロンプロファイルから、ボロン面密度の値に換算することを可能とし、結合型基板の結合界面に存在するボロン量をボロン面密度として簡便に評価可能とする。【構成】 イオン注入により種々のドーズ量でボロンを浅く打ち込んだ複数の基準試料を作製し、それらの基準試料を、結合型基板を得る際の結合熱処理における温度と時間を同一とする熱処理を施した後、それらの基準試料の界面の深さ方向のボロンプロファイルをSIMSにより測定し、評価すべき結合型基板の結合界面の実測ボロンプロファイルと比較して、この実測ボロンプロファイルと同等のボロンプロファイルを示す基準試料のボロンのドーズ量を、評価すべき結合型基板の結合熱処理前の結合界面におけるボロン面密度として換算評価する。

Claim (excerpt)：

イオン注入により種々のドーズ量でボロンを浅く打ち込んだ複数の基準試料を作製し、それらの基準試料を、結合型基板を得る際の結合熱処理における温度と時間を同一条件とする熱処理を施した後、それらの基準試料の界面の深さ方向のボロンプロファイルをSIMSにより測定し、評価すべき結合型基板の結合界面の実測ボロンプロファイルと比較して、この実測ボロンプロファイルと同等のボロンプロファイルを示す基準試料のボロンのドーズ量を、評価すべき結合型基板の結合熱処理前の初期の結合界面におけるボロン面密度として換算評価することを特徴とする結合型基板の結合界面のボロン評価方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/02