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J-GLOBAL ID：200903078241351852

CVD薄膜形成方法

Inventor： 井上 直樹 ,  中岡 春雪 ,  東 秀樹 ,  柳澤 徹 ,  森川 茂 ,  小林 孝 ,  佐伯 登 ,  坂井 久
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 北村 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993330674
Publication number (International publication number)：1994275548
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 基板面上に基板を構成する元素の酸化物を形成しないCVD薄膜形成方法を得る。【構成】 複数種の金属化合物ガスg1と酸化性ガスg2とを薄膜形成室6内に供給し、前記薄膜形成室6内に配設された基板3上に金属酸化物薄膜4を形成するCVD薄膜形成方法において、金属を分子内に有する金属化合物ガスg1のみを前記薄膜形成室6内に供給して、基板3と複数種の金属化合物ガスg1とを馴染ませる第一工程と第一工程にひき続いて薄膜形成室6内に、複数種の金属化合物ガスg1と酸化性ガスg2を供給して薄膜を形成する第二工程を備えて、薄膜の形成をおこなう。

Claim (excerpt)：

複数種の金属化合物ガス(g1)と酸化性ガス(g2)とを薄膜形成室(6)内に供給し、前記薄膜形成室(6)内に配設された基板(3)上に金属酸化物薄膜(4)を形成するCVD薄膜形成方法であって、酸素を分子内に有する金属化合物ガス(g1)のみを前記薄膜形成室(6)内に供給して、前記基板(3)と前記金属化合物ガス(g1)とを馴染ませる第一工程と、前記第一工程にひき続いて前記薄膜形成室(6)内に、前記複数種の金属化合物ガス(g1)と前記酸化性ガス(g2)を供給して薄膜を形成する第二工程を備えたCVD薄膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/316