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J-GLOBAL ID：200903078252801957
半導体加速度センサ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994004162
Publication number (International publication number)：1995211923
Application date： Jan. 19, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】 新規な構成にて、半導体基板と可動電極との間の静電気力による悪影響を回避できる半導体加速度センサを提供することにある。【構成】 P型シリコン基板1の上方には、所定の間隔を隔てて梁構造の可動電極4が配置されている。P型シリコン基板1における可動電極4の両側には、不純物拡散層よりなる固定電極8,9が形成され、この固定電極8,9は可動電極4に対し自己整合的に形成されたものである。加速度の作用に伴い可動電極4が変位し、この変位によって生じる固定電極8,9間の電流の変化(増減)で加速度が検出される。又、可動電極4の上方に可動電極上動用電極18が配置され、可動電極4と可動電極上動用電極18との間に電位差を生じさせて可動電極4のシリコン基板1への引力が軽減される。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて配置された梁構造の可動電極と、前記半導体基板における前記可動電極の両側に形成された不純物拡散層よりなる固定電極とを備え、加速度の作用に伴う前記可動電極の変位によって生じる前記固定電極間の電流の変化で加速度を検出するようにした半導体加速度センサにおいて、前記可動電極が配置されている高さ以上の高さに可動電極上動用電極を配置し、可動電極と可動電極上動用電極との間に電位差を生じさせて可動電極の半導体基板への引力を軽減するようにしたことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2)：
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