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J-GLOBAL ID：200903078254429060
半導体レーザ装置及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991184558
Publication number (International publication number)：1993029708
Application date： Jul. 24, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 活性領域の機械的強度の低下を招くことなく、pn接合に起因する容量及び金属電極とのコンタクト抵抗の低減をはかることができ、高速変調特性に優れた半導体レーザ装置を提供すること。【構成】 n型InP基板上11にストライプ状に形成された活性領域15と、この活性領域15上に形成されたp型のInP第1クラッド層13aと、この第1クラッド層13aの上面,側面及び活性領域15の側面に形成されたp型のInP第2クラッド層13bと、この第2クラッド層13bの上面及び側面に形成された、金属電極とのコンタクトを取るためのp型InGaAsコンタクト層14とを具備してなることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体基板上に形成された活性領域と、この活性領域上に形成された第2導電型のクラッド層と、このクラッド層の上面及び側面に形成された、電極とのコンタクトを取るためのコンタクト層とを具備してなることを特徴とする半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
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