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J-GLOBAL ID：200903078257805578

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 大西 豊和 ,  関 章憲
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社
Agent (1)： 岡田 英彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995244685
Publication number (International publication number)：1996153734
Application date： Sep. 22, 1995
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置において、電極の構造を改良すること。【解決手段】 半導体基板11、12と、該半導体基板11、12表面に形成された第1電極15aと、該第1電極15a側部に該第1電極15aを挟むように形成された第1絶縁体16a及び第2絶縁体16bと、前記第1電極15a、前記第1絶縁体16a及び第2絶縁体16bの表面に形成され、前記第1電極15aと電気的に接続された第2電極21aと、前記第1絶縁体16aに関して前記第1電極15aと反対側の半導体基板11、12表面に形成された第3電極22aと、前記第2絶縁体16bに関して前記第1電極15aと反対側の半導体基板11、12表面に形成された第4電極23aとを備えたことを特徴とする半導体装置。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板表面に形成された第1電極と、該第1電極側部に該第1電極を挟むように形成された第1絶縁体及び第2絶縁体と、前記第1電極、前記第1絶縁体及び第2絶縁体の表面に形成され、前記第1電極と電気的に接続された第2電極と、前記第1絶縁体に関して前記第1電極と反対側の半導体基板表面に形成された第3電極と、前記第2絶縁体に関して前記第1電極と反対側の半導体基板表面に形成された第4電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/778

FI (5)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/52 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-186648
  
• 特開平1-109772
  
• 特開平2-209737