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J-GLOBAL ID：200903078261509029

レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法

Inventor： 吉田 善一 ,  伊東 克通 ,  水口 信一 ,  三露 常男 ,  大川 和宏
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993035100
Publication number (International publication number)：1994248438
Application date： Feb. 24, 1993
Publication date： Sep. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高濃度のP型不純をII-VI族半導体に添加する。【構成】 窒素ガスを吸着させたII-VI族半導体構成元素のターゲットに短パルスのレーザーを照射させることにより、ターゲットからの噴出物と一緒に励起した窒素を基板に飛来させ、窒素添加された化合物を形成する。

Claim (excerpt)：

レーザー発振器と、集光するレンズと、真空槽と、前記真空槽に設けられたレーザー入射窓と、前記真空槽内にありレーザーが照射されるターゲットと、ターゲットのレーザー照射部にガスを吹き付けるためのガス導入管と、ターゲット上にありターゲットからレーザー照射により噴出した物質を堆積させる基板とを備えたレーザーアブレーション装置。