Pat
J-GLOBAL ID:200903078261509029
レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993035100
Publication number (International publication number):1994248438
Application date: Feb. 24, 1993
Publication date: Sep. 06, 1994
Summary:
【要約】【目的】 高濃度のP型不純をII-VI族半導体に添加する。【構成】 窒素ガスを吸着させたII-VI族半導体構成元素のターゲットに短パルスのレーザーを照射させることにより、ターゲットからの噴出物と一緒に励起した窒素を基板に飛来させ、窒素添加された化合物を形成する。
Claim (excerpt):
レーザー発振器と、集光するレンズと、真空槽と、前記真空槽に設けられたレーザー入射窓と、前記真空槽内にありレーザーが照射されるターゲットと、ターゲットのレーザー照射部にガスを吹き付けるためのガス導入管と、ターゲット上にありターゲットからレーザー照射により噴出した物質を堆積させる基板とを備えたレーザーアブレーション装置。
Return to Previous Page