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J-GLOBAL ID：200903078267603469

超電導磁気シールド構造体

Inventor： 入澤 大逸 ,  矢原 昭人 ,  松葉 博則
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992112115
Publication number (International publication number)：1993283892
Application date： Apr. 03, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 シールド特性に優れ且つ製造が容易な超電導磁気シールド構造体を提供する。【構成】 複数の超電導体製分割成形体1相互の端部を突き合わせて形成した超電導体製筒状体2の前記超電導体製成形体1の突合わせ部分3に高透磁率性部材4を配置した超電導磁気シールド構造体であって、前記高透磁率性部材4の幅dを、前記高透磁率性部材4と前記筒状体2との間隔eの5倍以上にする。【効果】 超電導体製筒状体2を複数個の分割成形体1を突合わせて形成するので製造が効率よくなされる。又超電導体製筒状体2を形成する分割成形体1相互の突合わせ部分3に高透磁率性部材4を配置し、しかも前記高透磁率製部材4の幅dを、前記高透磁率性部材4と前記筒状体2との間隔eの5倍以上にするので、外部磁場は前記高透磁率性部材4により十分遮蔽されて、超電導磁気シールド構造体内部は低磁場環境に保持される。

Claim (excerpt)：

複数の超電導体製分割成形体の端部を突き合わせて形成した超電導体製筒状体の前記超電導体製成形体の突合わせ部分に高透磁率性部材を配置させた超電導磁気シールド構造体であって、前記超電導体製成形体の突合わせ部分に配置させた高透磁率性部材の幅dが、前記高透磁率性部材と前記超電導体製筒状体との間隔eの5倍以上であることを特徴とする超電導磁気シールド構造体。

IPC (2)：

H05K 9/00 ZAA ,  H01B 12/02 ZAA